| 专利名称 | 一种无CMP的适用于后栅工艺的平坦化制备工艺 | 申请号 | CN200910236720.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102054703A | 公开（授权）日 | 2011.05.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 徐秋霞;钟兴华 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 一种无CMP的适用于后栅工艺的平坦化制备工艺 至一种无CMP的适用于后栅工艺的平坦化制备工艺 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 一种适用于后栅工艺无CMP平坦化的制备工艺，利用CMOS工艺中普遍采用的光刻胶，稀释后具有的良好的流动性来填充高低不平的图形的谷底，使旋涂胶后图形表面基本平坦。以光刻胶为载体，利用光刻胶与LTO的速率差回刻方法，使凸起图形的LTO被铲去，器件有源区上有残留的胶保护而不受侵蚀，获得接近平坦的表面；再重复一次涂胶，使光刻胶与LTO以同等速率回刻，达到全平坦化目的。然后再回刻介质至假栅电极露头，除净多晶硅假栅电极，沉积所需要的金属栅薄膜。本发明不需要增加专门的设备，工艺简单，易于监控，与CMOS工艺兼容性更好，为后栅工艺中替代栅的集成提供了便利。 |
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