| 专利名称 | 集成电路版图中冗余金属的填充方法 | 申请号 | CN201010514565.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102456080A | 公开（授权）日 | 2012.05.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 杨飞;陈岚;阮文彪;李志刚;王强;周隽雄;叶甜春 | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | IPC主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 专利有效期 | 集成电路版图中冗余金属的填充方法 至集成电路版图中冗余金属的填充方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了集成电路版图中冗余金属的填充方法，属于微电子技术领域。本发明的冗余金属填充方法通过增加冗余金属与信号线之间的距离，在垂直于信号线的方向上减少冗余金属的数目，同时避免冗余金属的交错排列，改变冗余金属的摆放方式，从而减小冗余金属对信号线耦合电容的影响，这样可以降低冗余金属对时序的收敛性和信号的完整性的影响，提高产品的可靠性。 |
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