| 专利名称 | 碳化物复合相变存储材料及制备方法 | 申请号 | CN201010515116.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102453823A | 公开（授权）日 | 2012.05.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 吴良才;朱敏;宋志棠 | 主分类号 | C22C32/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C22C32/00(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I | 专利有效期 | 碳化物复合相变存储材料及制备方法 至碳化物复合相变存储材料及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种碳化物复合相变存储材料。该碳化物复合相变存储材料由碳化物和相变材料复合而成。碳化物的作用是将相变材料分隔成纳米级岛状区域，从而使得相变材料的生长受到碳化物的抑制，大大增加了晶界数，增大了复合材料的电阻率，使得复合材料拥有良好的相变特性和热稳定性。此外，可通过增加碳化物比例的方法来调节相变材料的晶态电阻值，避免由于晶态电阻过小而引起的阈值电流或功耗过大问题。 |
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