| 专利名称 | Ⅲ-氮化物半导体材料pn结的制作方法 | 申请号 | CN200910236706.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102054673A | 公开（授权）日 | 2011.05.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 冉军学;王晓亮;李建平;胡国新;肖红领;王翠梅;杨翠柏;李晋闽 | 主分类号 | H01L21/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/18(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 专利有效期 | Ⅲ-氮化物半导体材料pn结的制作方法 至Ⅲ-氮化物半导体材料pn结的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种III-氮化物半导体材料pn结的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上生长p型GaN基材料；步骤2：在p型GaN基材料上面外延非掺杂GaN基材料；步骤3：在非掺杂的GaN基材料上生长非掺杂薄层；步骤4：在非掺杂薄层上生长n型GaN基材料。 |
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