| 专利名称 | 磁头衬底材料及其制备方法 | 申请号 | CN200910198398.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102054497A | 公开（授权）日 | 2011.05.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 王连军;刘磊峰;张建峰;江莞;陈立东 | 主分类号 | G11B7/241(2006.01)I | IPC主分类号 | G11B7/241(2006.01)I | 专利有效期 | 磁头衬底材料及其制备方法 至磁头衬底材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种磁头衬底材料及其制备方法，其特征在于采用Al2O3、TiC和Ti3SiC2为起始原料，首先通过滚筒球磨的方式进行混料，然后在高温高压的条件下将粉体烧结，从而获得致密Al2O3/TiC/Ti3SiC2新型磁头衬底材料。该材料的突出特点是组成包括Al2O3、TiC和Ti3SiC2三种组分，其中基体Al2O3晶粒尺寸为200-400nm，TiC的晶粒尺寸为1～2um，Ti3SiC2晶粒尺寸在2～5um。材料的抗弯强度在600～900MPa，显微硬度在12～19GPa。该磁头衬底材料具有制备周期短、能耗低、可加工性好，优秀的传热性能等特性，具有良好的产业化前景。 |
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