| 专利名称 | 一种半导体结构及其制造方法 | 申请号 | CN201010526916.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102456613A | 公开（授权）日 | 2012.05.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体结构及其制造方法 至一种半导体结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种半导体结构的制造方法，在第一介质层上覆盖第二介质层，先在第二介质层中形成内径较小的第一接触孔，再刻蚀第一介质层形成内径较大的第二接触孔，最后在第一接触孔和第二接触孔内部填充导电材料以形成接触塞。相应地，本发明还提供了一种半导体结构。利于减小接触电阻。 |
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