| 专利名称 | 一种单分散、均一单核担载的氧化硅包裹疏水纳米晶的制备方法 | 申请号 | CN200910198408.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102049052A | 公开（授权）日 | 2011.05.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 陈风;步文博;施剑林 | 主分类号 | A61K49/08(2006.01)I | IPC主分类号 | A61K49/08(2006.01)I;A61K49/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种单分散、均一单核担载的氧化硅包裹疏水纳米晶的制备方法 至一种单分散、均一单核担载的氧化硅包裹疏水纳米晶的制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明提出一种单分散、均一单核担载的氧化硅包裹疏水纳米晶的制备方法。与已有合成方法相比，本发明(1)通过有效控制SPION的单分散性，获得高产率的单一内核担载SPION?@?SiO2纳米核壳结构；(2)采用微量注射泵精确控制TEOS的引入速度，不仅有效地避免了SiO2的均相形核和颗粒间的团聚问题，而且提高了制备方法的可重复性。所制备的单分散功能复合纳米核壳结构在核磁共振成像和未来的医药诊治领域将具有良好的应用前景。 |
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