| 专利名称 | 一种制备细晶高强高纯氧化铝陶瓷的方法 | 申请号 | CN201010564529.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101993239A | 公开（授权）日 | 2011.03.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 周国红;王士维;王利;张海龙;杨燕 | 主分类号 | C04B35/10(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/10(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制备细晶高强高纯氧化铝陶瓷的方法 至一种制备细晶高强高纯氧化铝陶瓷的方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制备细晶高强高纯氧化铝陶瓷的方法，是首先将高纯度氧化铝陶瓷球和国产商业化高纯度氧化铝粉体按10∶1质量比加入砂磨机中，以去离子水为研磨介质，加入适量的有机分散剂DOLAPIX?CE?64、无机分散剂(NH4)2SO4及烧结助剂MgO，进行湿法研磨2～4小时；然后将得到的浆料在80～100℃下干燥20～30小时，过200目尼龙筛，置入马弗炉中于550～650℃下煅烧1～3小时；再干压成型后经冷等静压处理得到氧化铝陶瓷素坯，最后将上述素坯置入马弗炉中，在1450～1600℃下进行无压烧结1～3小时。本发明制备工艺简单，原料成本低，及低温烧结降低了能耗，适合规模化生产。 |
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