| 专利名称 | 一种表面等离子体共振芯片的制备方法 | 申请号 | CN201010594572.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102002670A | 公开（授权）日 | 2011.04.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 发明（设计）人 | 牛利;王伟;包宇;李敏 | 主分类号 | C23C14/18(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/18(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I | 专利有效期 | 一种表面等离子体共振芯片的制备方法 至一种表面等离子体共振芯片的制备方法 | 法律状态 | 著录事项变更 | 说明书摘要 | 本发明实施例公开了一种表面等离子体共振芯片的制备方法，包括：步骤a)将玻璃衬底放入真空溅射仪的生长室内；步骤b)向所述生长室内通入氩气，抽真空至10-1～10-3mbr，以铬为靶材，靶基距为5～9cm，在所述玻璃衬底上溅射铬薄膜；步骤c)以金为靶材、靶基距为5～9cm，在真空度为10-1～10-3mbr的条件下，在所述步骤b)得到的产物上溅射金薄膜。本发明采用真空溅射原理，并采用5～9cm的靶基距，制备得到的金属薄膜表面平整，厚度可控，可以用于表面等离子体共振芯片。实验结果表明，本发明制备的金属薄膜厚度均匀，为50nm左右。 |
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