| 专利名称 | 一种等离子体浸没离子注入系统 | 申请号 | CN201020247215.0 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN201785483U | 公开（授权）日 | 2011.04.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 李超波;刘杰;汪明刚;夏洋;罗威;罗小晨;李勇滔 | 主分类号 | C23C14/48(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/48(2006.01)I | 专利有效期 | 一种等离子体浸没离子注入系统 至一种等离子体浸没离子注入系统 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型涉及半导体处理技术和设备领域，具体其涉及一种等离子体浸没离子注入系统，包括离子注入腔室、电源部分、注入电极部分和真空部分，还包括掺杂源腔室和隔板；所述掺杂源腔室和所述离子注入腔室通过隔板相连。本实用新型提既提高了掺杂注入的均匀性，又消除了中、高能浸没离子注入由于鞘层过宽而引起的等离子体熄灭，还能实现低气压下的中、高能浸没离子掺杂注入。 |
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