| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN200910235339.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102034865A | 公开（授权）日 | 2011.04.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件形成在SOI衬底上，所述SOI衬底包括掩埋绝缘层和在掩埋绝缘层上形成的半导体层，在所述半导体层中形成了半导体材料的鳍片，所述鳍片包括垂直于SOI衬底表面的两个相对侧面，所述半导体器件包括：设置在鳍片两端的源区和漏区；设置在鳍片的中间部分的沟道区；以及设置在鳍片的一个侧面上的栅极电介质和栅极导体的叠层，所述栅极导体与所述沟道区之间由所述栅极电介质隔离，其中所述栅极导体沿着平行于所述SOI衬底表面的方向背离所述鳍片的所述一个侧面延伸。所述半导体器件减小了短沟道效应，并且减小了寄生电容和寄生电阻，从而有利于晶体管尺寸缩小和提高晶体管性能。 |
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