| 专利名称 | Mn27Si47-Si异质结构纳米线阵列或Mn27Si47纳米线阵列的制备方法 | 申请号 | CN201010538239.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102030309A | 公开（授权）日 | 2011.04.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 师文生;刘海龙;佘广为;凌世婷 | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | Mn27Si47-Si异质结构纳米线阵列或Mn27Si47纳米线阵列的制备方法 至Mn27Si47-Si异质结构纳米线阵列或Mn27Si47纳米线阵列的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及Mn27Si47-Si异质结构纳米线阵列和Mn27Si47一维纳米结构阵列的制备方法。本发明以化学刻蚀方法制备出的硅纳米线阵列作为硅源，以MnCl2为Mn源，通过原位反应得到Mn27Si47-Si异质结构纳米线阵列或Mn27Si47一维纳米线阵列。本发明的制备方法简单，得到的Si-Mn27Si47异质结构纳米线阵列中的Mn27Si47和Mn27Si47一维纳米线均为单晶结构，纳米线的直径都为100～300nm，长度都为20μm。本发明制备的Mn27Si47-Si异质结构纳米线阵列和Mn27Si47一维纳米线阵列在基于Si纳米线的红外探测器、太阳能光伏器件等方面具有巨大的潜在应用价值。 |
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