| 专利名称 | 一种防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法 | 申请号 | CN201010235870.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101905858A | 公开（授权）日 | 2010.12.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 杨晋玲;解婧;刘云飞;杨富华 | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法 至一种防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法，该方法是在MEMS器件的金属化工艺中，在贵金属层表面进一步淀积一层金属Ti层，然后用光刻胶覆盖该金属Ti层。由于金属Ti在HF基腐蚀液中的电化学电势低于结构层半导体材料的电化学电势，因而Ti替代半导体材料，与贵金属层构成原电池，并作为原电池正极在HF基腐蚀液中发生氧化反应，从而有效避免了半导体结构层材料被电化学腐蚀，并保证了金属层与其它结构层的牢固结合。 |
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