| 专利名称 | 一种制备过孔的方法 | 申请号 | CN200810240081.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101752300A | 公开（授权）日 | 2010.06.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘舸;刘明;刘兴华;商立伟;王宏;柳江 | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制备过孔的方法 至一种制备过孔的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制备过孔的方法，包括：在绝缘衬底上涂敷光刻胶；光刻得到栅电极图形；电子束蒸发或者PECVD沉积金属电极；用丙酮剥离不需要的金薄膜得到器件的栅电极图形；在栅电极上匀胶后再次光刻得到过孔图形；电子束蒸发过孔金属；剥离后再淀积栅介质材料；再次光刻得到栅介质上互连线的胶图形；电子束蒸发连线金属，剥离后实现栅介质上下导线的互连。本发明省掉了刻蚀栅介质这步工艺过程，是在完成了器件的栅电极制备后，为达到栅电极与随后要生长的栅介质上面的引线互连，先在栅电极上光刻出过孔图形，然后再蒸互连金属，最后再生长栅介质材料。本发明过孔的制备过程工艺简单，操作性比通过刻蚀的方法方便，降低了工艺成本。 |
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