| 专利名称 | 半导体器件及其形成方法 | 申请号 | CN201010185012.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102254824A | 公开（授权）日 | 2011.11.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其形成方法 至半导体器件及其形成方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 一种制造半导体器件的方法，所述方法采用先去除伪堆叠以形成开口；而后从所述开口对衬底进行蚀刻而形成沟槽，并在所述沟槽的侧壁下部形成间隔层；然后在所述沟槽的底部形成掺杂阱区，以及在所述掺杂阱区上方形成沟道区；最后，在开口中形成栅极区。通过本发明能够避免将掺杂剂不当引入源极区和漏极区的问题，还避免了在掺杂阱形成过程中容易出现的重掺杂内侧墙外延生长，进一步阻止了将掺杂剂不当地引入后续形成的沟道区中的问题，从而提高器件性能。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障