| 专利名称 | 一种锗的微米/纳米锥阵列及其制备方法 | 申请号 | CN201110191248.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102251286A | 公开（授权）日 | 2011.11.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 师文生;刘运宇;佘广为 | 主分类号 | C30B33/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B33/00(2006.01)I;C30B33/10(2006.01)I;C30B29/08(2006.01)I;C23F1/24(2006.01)I | 专利有效期 | 一种锗的微米/纳米锥阵列及其制备方法 至一种锗的微米/纳米锥阵列及其制备方法 | 法律状态 | 著录事项变更 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种锗的微米/纳米锥阵列及其制备方法。本发明的锗的微米/纳米锥阵列是基于对单晶锗片的化学刻蚀得到的，是由多个锗的微米/纳米锥构成，其中，阵列中的锗的微米/纳米锥的长度为5～40μm，尖端的直径为50～100nm。本发明的制备方法工艺简单，不需要高温和金属催化剂，常压下即可进行，为制备锗的微观结构提供了一种简单经济的方法。通过改变刻蚀溶液中的各成分的浓度和温度，可得到大长径比的锗的微米/纳米锥状阵列结构，并可在很大的范围内对形貌进行调节，这为锗的微米/纳米结构的制备提供了一种简单、可控的方法。 |
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