| 专利名称 | 一种纳秒级可逆相变材料及其相变机理的测定方法 | 申请号 | CN201110112153.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102255044A | 公开（授权）日 | 2011.11.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 宋志棠;饶峰;吴良才 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I;G01N23/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种纳秒级可逆相变材料及其相变机理的测定方法 至一种纳秒级可逆相变材料及其相变机理的测定方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 |
本发明公开了一种纳秒级可逆相变材料及其相变机理的测定方法。该材料具有在多种外在因素单独或联合作用下发生纳秒级可逆相变的性能；所述因素包括电场、压力、温度；所述纳秒级可逆相变是指材料内部原子、原子团或分子发生有序与无序排布之间的可逆变化，使材料在宏观上呈现为在晶态与非晶态两个相之间发生的相转变过程，且该相转变过程所耗费的时间在0.1~1000纳秒范围内；其中，该材料的晶态具有立方晶系的晶格结构；且该材料具有稳定的高温固相，其化学计量比为电中性，P轨道电离度为0.02 |
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