| 专利名称 | 减小LER的方法及实施该方法的装置 | 申请号 | CN201010181618.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102254808A | 公开（授权）日 | 2011.11.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明（设计）人 | 骆志炯;尹海洲;朱慧珑 | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I | 专利有效期 | 减小LER的方法及实施该方法的装置 至减小LER的方法及实施该方法的装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种减小线边缘粗糙度(LER)的方法以及实施该方法的装置。该方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成半导体器件，所述半导体器件包括特定特征结构；平行于特定特征结构方向、并与半导体衬底表面呈倾斜角度对特定特征结构进行离子/等离子体刻蚀。由此，可以有效减小由LER导致的器件性能恶化。 |
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4、专员跟进，交易保障