| 专利名称 | 铜铟镓硫硒薄膜太阳电池光吸收层的制备方法 | 申请号 | CN200880124039.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101960610A | 公开（授权）日 | 2011.01.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 黄富强;王耀明 | 主分类号 | H01L31/032(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/032(2006.01)I | 专利有效期 | 铜铟镓硫硒薄膜太阳电池光吸收层的制备方法 至铜铟镓硫硒薄膜太阳电池光吸收层的制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 提供一种铜铟镓硫硒薄膜太阳电池光吸收层的制备方法。它采用非真空液相化学方法，包括以下步骤：形成含铜、铟、镓、硫和硒的源溶液；通过非真空液相工艺将该溶液在衬底上制成前驱薄膜；以及将前驱薄膜干燥并退火，从而形成铜铟镓硫硒化合物薄膜。 |
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