| 专利名称 | 通过腔面镀膜来提高量子点激光器温度特性的方法 | 申请号 | CN200910088813.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101958512A | 公开（授权）日 | 2011.01.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 曹玉莲;杨涛 | 主分类号 | H01S5/34(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/34(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I;H01S5/065(2006.01)I;H01S5/068(2006.01)I | 专利有效期 | 通过腔面镀膜来提高量子点激光器温度特性的方法 至通过腔面镀膜来提高量子点激光器温度特性的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种通过腔面镀膜提高量子点激光器温度稳定性的方法，包括如下步骤：步骤1：取一条解理后的量子点激光器芯片；步骤2：通过在所述量子点激光器芯片的非出光端面上交替沉积光学厚度为λ/4的高低折射率材料，得到具有高反射率的薄膜系统，其中，λ为膜系的中心波长；步骤3：所述量子点激光器的腔面高反射膜系的中心波长与所述量子点激光器的基态激射波长不重合，基态激射波长在反射带宽内，而激发态的激射波长落在反射带宽之外，使得所述量子点激光器的基态反射率高，而激发态的反射率低。 |
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