| 专利名称 | 利用绝缘体上硅制备悬空应变硅薄膜的方法 | 申请号 | CN201010223135.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101958271A | 公开（授权）日 | 2011.01.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司 | 发明（设计）人 | 张苗;张波;王曦;薛忠营;魏星;武爱民 | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 专利有效期 | 利用绝缘体上硅制备悬空应变硅薄膜的方法 至利用绝缘体上硅制备悬空应变硅薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种利用绝缘体上硅制备悬空应变硅薄膜的方法，其特征在于在SOI上面外延一层SiGe层，然后将SOI材料淘空，通过应力转移法，将SiGe的应力转移到SOI材料的顶层硅中，最终获得悬空的应变硅薄膜层。所获得悬空的应变硅薄膜层的厚度为10-50nm。由本发明提供的工艺只需简单的一步外延工艺和湿法刻蚀工艺实施，避免了大量穿透位错的产生，获得高质量的应变硅薄膜材料。 |
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