| 专利名称 | 一种绝缘体上超薄应变材料的制备方法 | 申请号 | CN201010223124.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101958270A | 公开（授权）日 | 2011.01.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司 | 发明（设计）人 | 张苗;张波;王曦;薛忠营;魏星;武爱民 | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 专利有效期 | 一种绝缘体上超薄应变材料的制备方法 至一种绝缘体上超薄应变材料的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种绝缘体上超薄应变材料的制备方法，其特征在于在选定的半导体衬底材料上外延生长一层半导体材料，该外延生长的半导体材料厚度在临界厚度以内，且使晶体处于完全应变状态，接着进行氧离子注入，使氧离子主要分布在半导体衬底材料中，最后进行800-1200℃高温退火，在形成绝缘埋层的同时，使外延生长的半导体材料顶部发生弛豫，将应力转移到衬底材料的顶部中去，形成新的应变层。所制备的超薄应变材料层≤50nm。本发明只需一步氧离子注入结合外延工艺而省去键合和剥离工艺，使绝缘体上硅得以简单实现。 |
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