| 专利名称 | 一种制备悬空应变材料的方法 | 申请号 | CN201010223192.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101958238A | 公开（授权）日 | 2011.01.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司 | 发明（设计）人 | 张苗;张波;王曦;薛忠营;魏星;武爱民 | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制备悬空应变材料的方法 至一种制备悬空应变材料的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种制备悬空应变材料的方法，其特征在于制备的步骤是：a)提供一层具有各向异性腐蚀特性的半导体衬底材料；b)在步骤a所述的半导体材料上外延生长一层晶格常数比衬底材料大的晶体材料，外延的晶体材料层的厚度控制在临界厚度之内；c)接着在衬底材料底部上涂光刻胶，曝光刻蚀出所需的图形；d)对衬底材料进行湿法刻蚀，放入到KOH或TMAH溶液中，刻蚀到外延的晶体材料处自动停止；e)将步骤d所得材料进行退火工艺，使外延晶体材料中应力完全释放；退火温度为300-1000℃；f)退火后在图形上外延淀积晶体层，使晶体层受压应力或张应力；g)腐蚀移除晶体材料，从而制得悬空的应变材料，制备出的悬空材料中不存在应力释放，也即制备出的悬空材料无应力释放。 |
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