| 专利名称 | 能消除干扰的相变存储器单元结构及形成的相变存储器 | 申请号 | CN201010289950.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101958148A | 公开（授权）日 | 2011.01.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 蔡道林;宋志棠;陈后鹏 | 主分类号 | G11C11/56(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C11/56(2006.01)I | 专利有效期 | 能消除干扰的相变存储器单元结构及形成的相变存储器 至能消除干扰的相变存储器单元结构及形成的相变存储器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种能消除干扰的相变存储器单元结构，其包括：相变材料形成的相变电阻；并联在所述相变电阻两端的受控开关管；与所述相变电阻一端连接的选通管，其中，所述选通管和所述受控开关管在任意时刻工作在相反的状态，即一者处于导通状态时，另一者就处于截止状态，通过受控开关管的导通，可强制相变电阻两端的电压相等，从而有效避免干扰。此外，本发明还提供一种由能消除干扰的相变存储器单元结构所构成的相变存储器，该相变存储器在位线信号升高时，通过使受控开关管导通，可使相变电阻两端的电压相等，从而达到消除干扰的目的。 |
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