专利名称 | 三角形GaN基发光二极管芯片的对称电极 | 申请号 | CN201010113816.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开(公告)号 | CN101794851A | 公开(授权)日 | 2010.08.04 | 申请(专利权)人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明(设计)人 | 孙莉莉;闫发旺;张会肖;王军喜;王国宏;曾一平;李晋闽 | 主分类号 | H01L33/38(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/38(2010.01)I | 专利有效期 | 三角形GaN基发光二极管芯片的对称电极 至三角形GaN基发光二极管芯片的对称电极 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种三角形GaN基发光二极管芯片的对称电极,属于LED芯片技术领域。LED芯片形状为三角形,N型电极的焊盘位于三角形芯片的顶角,N型条形电极自N型焊盘出发沿三角形LED芯片的边缘环绕一周,P型电极的焊盘位于三角形芯片的中心,P型条形电极首先沿垂直于三角形底边方向进行分布,然后再平行于三角形芯片的边缘分布,在LED芯片内部N电极与P电极对称分布,以保证三角形LED芯片的电流分布均匀,从而达到提高三角形LED芯片的出光效率和寿命的目的。 |
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