三角形GaN基发光二极管芯片的对称电极

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专利名称 三角形GaN基发光二极管芯片的对称电极 申请号 CN201010113816.7 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN101794851A 公开(授权)日 2010.08.04 申请(专利权)人 中国科学院半导体研究所 发明(设计)人 孙莉莉;闫发旺;张会肖;王军喜;王国宏;曾一平;李晋闽 主分类号 H01L33/38(2010.01)I IPC主分类号 H01L33/38(2010.01)I 专利有效期 三角形GaN基发光二极管芯片的对称电极 至三角形GaN基发光二极管芯片的对称电极 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明公开了一种三角形GaN基发光二极管芯片的对称电极,属于LED芯片技术领域。LED芯片形状为三角形,N型电极的焊盘位于三角形芯片的顶角,N型条形电极自N型焊盘出发沿三角形LED芯片的边缘环绕一周,P型电极的焊盘位于三角形芯片的中心,P型条形电极首先沿垂直于三角形底边方向进行分布,然后再平行于三角形芯片的边缘分布,在LED芯片内部N电极与P电极对称分布,以保证三角形LED芯片的电流分布均匀,从而达到提高三角形LED芯片的出光效率和寿命的目的。

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