| 专利名称 | 平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极 | 申请号 | CN201010113804.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101794850A | 公开（授权）日 | 2010.08.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 孙莉莉;闫发旺;张会肖;王军喜;王国宏;曾一平;李晋闽 | 主分类号 | H01L33/38(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/38(2010.01)I | 专利有效期 | 平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极 至平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极，属于LED芯片技术领域。LED芯片形状为非矩形的平行四边形，N型焊盘位于平行四边形的一个角上，N型条形电极自N型焊盘出发沿平行四边形边缘环绕一周，P型电极的焊盘位于平行四边形芯片的中心，P型条形电极首先沿N型焊盘所在角对应的对角线方向分布，然后再平行于平行四边形芯片的边缘分布，在LED芯片内部N电极与P电极对称分布，保证了平行四边形LED芯片的电流分布均匀，从而达到提高平行四边形LED芯片的出光效率和寿命的目的。 |
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