| 专利名称 | 氧化锆基传感器的低温共烧方法 | 申请号 | CN201210445355.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102910903A | 公开（授权）日 | 2013.02.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 冯涛;夏金峰;蒋丹宇 | 主分类号 | C04B35/48(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/48(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I | 专利有效期 | 氧化锆基传感器的低温共烧方法 至氧化锆基传感器的低温共烧方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种片式氧化锆传感器的低温共烧方法，所述方法包括：在氧化钇稳定氧化锆中加入低熔点、具有离子导电性的玻璃粉，配制浆料；将浆料流延成型，切割，冲过孔、参比气体通道、气体室等；印刷Pt等贵金属电极，叠层热压，并在1000℃～1200℃下共烧0.5～4小时。 |
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