| 专利名称 | 一种快速表征相变材料及介质层的方法 | 申请号 | CN200910200962.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101776718A | 公开（授权）日 | 2010.07.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 宋志棠;吕士龙 | 主分类号 | G01R31/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G01R31/00(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种快速表征相变材料及介质层的方法 至一种快速表征相变材料及介质层的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种快速表征相变材料及介质层的方法，包括如下步骤：清洗硅片；在所述硅片上制备底层介质层；在所述底层介质层上制备底层电极；在底层电极上制备电介质层；在电介质层上利用光刻及刻蚀工艺制备一系列通孔，使其下方的底层电极通过通孔露出；在所述通孔内制备相变材料，相变材料与所述底层电极接触；在所述相变材料上制备顶层接触电极；在所得结构表面制备顶层绝热保护层；采用三维控制器将纳米机械探针快速定位，使其与顶层接触电极接触，从而完成材料电学性能的测试表征。本发明的测试方法工艺步骤简单，利用三维控制器精确操纵纳米机械探针快速定位于单元结构上部，从而可完成相变材料及介质层电性能的快速测试。 |
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