| 专利名称 | 集成电路铜互连一步化学机械抛光工艺及相应纳米抛光液 | 申请号 | CN200510026996.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1731567B | 公开（授权）日 | 2010.08.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张楷亮;宋志棠;封松林;陈邦明 | 主分类号 | H01L21/321(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/321(2006.01)I;B24B57/02(2006.01)I | 专利有效期 | 集成电路铜互连一步化学机械抛光工艺及相应纳米抛光液 至集成电路铜互连一步化学机械抛光工艺及相应纳米抛光液 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种用于集成电路多层互连结构铜/钽化学机械抛光(CMP)的一步抛光工艺技术及相应纳米抛光液。对于互连结构的铜/钽多层膜体系的化学机械抛光，通过本发明的“一步抛光工艺”，单头抛光机能够代替昂贵的多头抛光机，实现多层膜的分步抛光。通过化学机械抛光过程中多层膜体系界面间在线检测信号(声学、力学、电学或光学信号)差异的反馈，对抛光液实施分段应用，有效改善了原有的单一抛光液或分步抛光中存在的低速率及选择性问题。该抛光工艺及相应纳米抛光液有效改善了单一抛光液的速率问题；以单头抛光机代替多头抛光机，降低了设备成本；同时抛光后表面损伤少、易清洗，抛光液不腐蚀设备、不污染环境。 |
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