| 专利名称 | 一种二氧化二氧化硅牺牲层释放系统 | 申请号 | CN200920350781.1 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN201729657U | 公开（授权）日 | 2011.02.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王磊;景玉鹏 | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种二氧化二氧化硅牺牲层释放系统 至一种二氧化二氧化硅牺牲层释放系统 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种二氧化二氧化硅牺牲层释放系统，该系统利用六氟化氙为反应性刻蚀气体，二氧化碳为辅助刻蚀气体。六氟化氙化学性质非常活泼，是强氧化剂和氟化剂。利用六氟化氙进行牺牲层释放是在无等离子环境中进行的，因此不会对硅片和微结构造成损伤。与传统的牺牲层释放方法相比，该方法设备简单，刻蚀速率较快，刻蚀后的表面光滑度高。二氧化碳作为辅助刻蚀气体，一方面调节气路气体混合比，提高安全性；另一方面利用二氧化碳在迅速减压时容易形成干冰的特点，对硅片进行物理辅助刻蚀，调节刻蚀速率。 |
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