专利名称 | 一种微波激发的超临界干燥装置及方法 | 申请号 | CN201210438693.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开(公告)号 | CN102929110A | 公开(授权)日 | 2013.02.13 | 申请(专利权)人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明(设计)人 | 于明岩;景玉鹏;郭晓龙;赵士瑞;徐昕伟 | 主分类号 | G03F7/40(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/40(2006.01)I | 专利有效期 | 一种微波激发的超临界干燥装置及方法 至一种微波激发的超临界干燥装置及方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种微波激发的超临界干燥装置及方法,该超临界干燥装置包括:腔室(3);设置于腔室(3)内盛载待测硅片(5)的石英装置(4);设置于腔室(3)外且与石英装置(4)连通的真空抽水装置(1);设置于腔室(3)内侧壁上的金属转盘(9);设置于腔室(3)内与金属转盘(9)连接的电机(10);设置于腔室(3)内的微波发生装置(11);以及设置于腔室(3)内的黄色光源(12)。利用本发明,解决了微细结构的纳米图形在干燥过程中发生的断裂、倒伏或粘连等问题。 |
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