| 专利名称 | 利用锗浓缩技术制备SiGe或Ge纳米线的方法 | 申请号 | CN201210225391.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102751232A | 公开（授权）日 | 2012.10.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 狄增峰;叶林;赵清太;张苗 | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 专利有效期 | 利用锗浓缩技术制备SiGe或Ge纳米线的方法 至利用锗浓缩技术制备SiGe或Ge纳米线的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种利用锗浓缩技术制备SiGe或Ge纳米线的方法，该方法通过将图形化和锗浓缩的方法相结合，获得一种保证产量和质量的SiGe和Ge纳米线的可控生长。本发明可以获得均匀而笔直的Ge或SiGe纳米线阵列，并且通过对氧化时间的控制可以获得不同组分的SiGe纳米线、以及Ge纳米线，最终形成的纳米线长度可达几百微米，直径达到几十纳米，通过图形的设计为之后纳米线器件打下基础。 |
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