| 专利名称 | 一种降低Si表面粗糙度的方法 | 申请号 | CN201210254007.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102751184A | 公开（授权）日 | 2012.10.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张苗;母志强;薛忠营;陈达;狄增峰;王曦 | 主分类号 | H01L21/306(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/306(2006.01)I | 专利有效期 | 一种降低Si表面粗糙度的方法 至一种降低Si表面粗糙度的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种降低Si表面粗糙度的方法，属于半导体领域，包括步骤：首先提供一至少包括SixGe1-x层以及结合于其表面的Si层的层叠结构，采用选择性腐蚀或机械化学抛光法去除所述SixGe1-x层，获得具有残留SixGe1-x材料的Si层粗糙表面，然后采用质量比为1∶3~6∶10~20的NH4OH:H2O2:H2O溶液对所述Si层粗糙表面进行处理，去除所述残留SixGe1-x材料，以获得光洁的Si层表面。本发明可以有效降低去除应变硅表面的SixGe1-x材料残余，降低应变硅表面的粗糙度，获得光洁的应变硅表面，为后续的器件制造工艺带来了极大的便利。本发明工艺简单，适用于工业生产。 |
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