| 专利名称 | 防止积留水液的热氧化系统和方法 | 申请号 | CN201110109430.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102760640A | 公开（授权）日 | 2012.10.31 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 李春龙 | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 专利有效期 | 防止积留水液的热氧化系统和方法 至防止积留水液的热氧化系统和方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种热氧化系统，包括：反应炉，用于湿法氧化制备氧化硅；水汽产生室，原料气体在所述水汽产生室内反应生成水汽，通过管道输送进入所述反应炉；原料气体进气管道，用于向所述水汽产生室提供所述原料气体；载气进气管道，用于向所述反应炉提供所述载气；加热器，耦合至所述原料气体进气管道，用于加热所述原料气体以促使其反应生成水汽；其特征在于，还包括加热装置，耦合至所述载气进气管道。依照本发明的热氧化系统以及方法，由于对载气进行了加热，避免了液态水存留在进气管道中，控制了薄膜生长质量，提高了半导体器件的可靠性。 |
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