| 专利名称 | 具有高氧空穴浓度的混合导体透氧膜 | 申请号 | CN99113004.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1277072 | 公开（授权）日 | 2000.12.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 发明（设计）人 | 杨维慎;邵宗平;丛铀;熊国兴 | 主分类号 | B01D71/02 | IPC主分类号 | B01D71/02 | 专利有效期 | 具有高氧空穴浓度的混合导体透氧膜 至具有高氧空穴浓度的混合导体透氧膜 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 |
一种具有高氧空穴浓度的混合导体透氧膜,其特
征在于:该透氧膜的分子式为(BaaSrb)(FecCodTieZrf)O3－δ,其中0 |
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