| 专利名称 | 薄层疏水催化层电极、膜电极三合一组件的制备方法 | 申请号 | CN99112826.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1269429 | 公开（授权）日 | 2000.10.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 发明（设计）人 | 邵志刚;衣宝廉;韩明 | 主分类号 | C25B9/10 | IPC主分类号 | C25B9/10 | 专利有效期 | 薄层疏水催化层电极、膜电极三合一组件的制备方法 至薄层疏水催化层电极、膜电极三合一组件的制备方法 | 法律状态 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 | 说明书摘要 | 一种薄层疏水催化层电极、膜电极三合一组件的 制备方法,系将催化剂制成墨水直接或间接刷印到质子膜上形 成膜电极三合一,墨水成分包括:(1)催化剂;(2)由水和有机溶剂 混合而成的溶剂,水与有机溶剂的体积比为1∶1～10;(3)Nafion 或Flemion质子导体聚合物;(4)常用的容易挥发的造孔剂或常 用的可溶性造孔剂;(5)疏水剂如PTFE;上述物质的重量比例关 系为催化剂∶溶剂∶质子导体聚合物∶造孔剂∶疏水剂=10∶ 100～500∶1～10∶10～50∶1～10。本发明电极制备过程简单, 结合牢固,电极性能好,寿命长且成本较低。 |
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