| 专利名称 | 一种半导体结构及其制造方法 | 申请号 | CN201010296962.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102437088A | 公开（授权）日 | 2012.05.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体结构及其制造方法 至一种半导体结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：在半导体衬底(101)上沉积层间介质层(105)，以覆盖源/漏区(102)以及位于所述半导体衬底上的栅极堆叠；刻蚀所述层间介质层以及源/漏区形成到达源/漏区内部的接触孔(110)；在所述源/漏区的暴露区域上形成共形的非晶化物层(111)；在所述非晶化物层(111)表面形成金属硅化物层(113)；在接触孔(110)中填充接触金属(114)。相应地，本发明还提供一种半导体结构。本发明通过刻蚀源/漏区，使其暴露区域包括底部以及侧壁，增大了接触孔中接触金属和源/漏区的接触面积，从而减小了接触电阻；采用选择性沉积的方式形成非晶化物，有效地消除了由非晶化离子注入所引起的末端缺陷。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障