| 专利名称 | 下降法生长500-1000mm长锗酸铋晶体的装置与方法 | 申请号 | CN201210322219.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102787350A | 公开（授权）日 | 2012.11.21 | 申请（专利权）人 | 上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 王绍华;倪海洪;周里华;陈俊锋;刘光煜;赵鹏;袁兰英;周学农;张健;宋桂兰;齐雪君;李赟;陆裕贵;杜勇;李文朋;李敏;徐力;孙世允;刘训龙 | 主分类号 | C30B11/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B11/00(2006.01)I;C30B29/32(2006.01)I | 专利有效期 | 下降法生长500-1000mm长锗酸铋晶体的装置与方法 至下降法生长500-1000mm长锗酸铋晶体的装置与方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种下降法生长500-1000mm长锗酸铋晶体的装置和方法。所述生长锗酸铋晶体的装置包括炉体结构系统和辅助加热系统。在本发明中，通过炉体结构系统和辅助加热系统同时对晶体生长装置相应的梯度区和辅助加热区进行控温并调节，保证整个生长装置具有最佳的温度场。本发明还可以根据生长晶体的长度按照1:1的比例调节生长装置高温区的高度和辅助加热系统的高度，并设计出长尺寸的铂金坩埚和氧化铝引下坩埚，调整合适的温度梯度和下降速度，高效率地制备长尺寸、高质量的锗酸铋闪烁晶体。 |
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