| 专利名称 | 一种硅量子点的表面修饰改性方法 | 申请号 | CN201110052410.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102173420A | 公开（授权）日 | 2011.09.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 葛介超;汪鹏飞;赵文文;刘卫敏;张洪艳 | 主分类号 | C01B33/021(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B33/021(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种硅量子点的表面修饰改性方法 至一种硅量子点的表面修饰改性方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种硅量子点的表面修饰改性方法，该方法是将硅量子点溶解于有机溶剂中，加入过氧化物；然后在无水无氧的条件下进行加热反应，经纯化后得到产品。本发明方法工艺简单，反应条件易于控制，反应时间短，可实现大量、快速修饰改性硅量子点。 |
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