| 专利名称 | 光激发微分电容法测定低背景载流子浓度的方法 | 申请号 | CN201110008829.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102175727A | 公开（授权）日 | 2011.09.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 李天信;夏辉;陆卫;殷豪;黄文超;王文娟;胡伟达;李宁;陈平平;李志峰;陈效双 | 主分类号 | G01N27/22(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N27/22(2006.01)I;G01Q60/46(2010.01)I | 专利有效期 | 光激发微分电容法测定低背景载流子浓度的方法 至光激发微分电容法测定低背景载流子浓度的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体材料器件中低背景载流子浓度的测定方法，包括步骤：测量待定区域表面的平带电压和光激发条件下的微分电容响应，待测定及邻近区域的数值建模，比较数值模型拟合和实际测量的待测定区域光激发条件下表面微分电容确定平衡载流子浓度。该方法适用于具有复杂结构的半导体材料或器件中背景载流子浓度低于1015cm-3特定功能区域的精确测定，并且能够对集成或阵列器件中单个微观区块实施检测。 |
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