| 专利名称 | 一种应用辉光放电质谱分析非导体材料的新方法 | 申请号 | CN201010606816.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102175754A | 公开（授权）日 | 2011.09.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 钱荣 | 主分类号 | G01N27/68(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N27/68(2006.01)I | 专利有效期 | 一种应用辉光放电质谱分析非导体材料的新方法 至一种应用辉光放电质谱分析非导体材料的新方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种应用辉光放电质谱分析非导体材料的新方法，其包括如下具体步骤：a)将待分析的非导体材料加工成条状样品；b)清洗条状样品，烘干；c)将金属铟置入石英坩埚中，加热至熔融状态；d)使条状样品表面包覆一层金属铟膜；e)再次清洗条状样品，烘干；f)进行直流辉光放电质谱分析。使用本发明的分析方法：无需研磨样品，无需抛光，前处理简单，避免了污染；操作简便，大大减少了金属铟的使用量，降低了分析成本；放电与导体样品类似，容易稳定且信号稳定性好，信噪比(S/N)理想，缩短了分析时间和提高了分析效率；能适合块状或晶体材料的分析，普适性强，应用范围广；具有很好的放电稳定性以及分析重复性。 |
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