| 专利名称 | 氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池及制作方法 | 申请号 | CN201110033772.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102176496A | 公开（授权）日 | 2011.09.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 彭文博;曾湘波;刘石勇;姚文杰;谢小兵;肖海波;杨萍;王超;俞育德 | 主分类号 | H01L31/20(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/20(2006.01)I;C30B25/16(2006.01)I;H01L31/075(2006.01)I | 专利有效期 | 氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池及制作方法 至氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池及制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池的制作方法，包括如下步骤：步骤1：将一衬底清洗干净，然后放入等离子体增强型化学气相沉积系统，烘烤并抽高真空；步骤2：在衬底上制作中间层；步骤3：在中间层上制作电极层，其是通过氢气调制本征层(I层)能带结构改进太阳电池的光吸收性能和界面性能，进而提高电池的效率。 |
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