| 专利名称 | 一种半导体结构 | 申请号 | CN201190000061.8 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202601574U | 公开（授权）日 | 2012.12.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;蒋葳;骆志炯;朱慧珑 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体结构 至一种半导体结构 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型提供了一种半导体结构，所述半导体结构包括，栅极堆叠，所述栅极堆叠形成于有源区上且暴露剩余的所述有源区，还包括：第一接触层和第二接触层，所述第一接触层和所述第二接触层嵌于所述有源区中，所述第一接触层至少覆盖部分所述有源区，所述第二接触层接于所述第一接触层；与所述第一接触层相比，所述第二接触层更远离所述栅堆叠，所述第一接触层的扩散系数小于第二接触层的扩散系数，所述第一接触层的材料包括TiSi、PtSi、CoSi2中的一种或其组合。利于减少接触层中的相应成分向沟道区扩散，利于减少短沟道效应及提高半导体结构的可靠性。 |
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