| 专利名称 | 鳍式场效应晶体管的制造方法 | 申请号 | CN201110144894.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102810476A | 公开（授权）日 | 2012.12.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 梁擎擎;朱慧珑;钟汇才 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 鳍式场效应晶体管的制造方法 至鳍式场效应晶体管的制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明实施例公开了一种鳍式晶体管的制造方法，在形成鳍后，在鳍上形成横跨鳍的伪栅条，在伪栅条两侧的覆盖层和第一介质层内形成源漏窗口，该源漏窗口在被伪栅条覆盖的鳍的两侧并为由周围的覆盖层和第一介质层等包围的窗口区域，在该源漏窗口内形成源漏区时，通过源漏区形成过程中晶格不匹配产生应力，并由于第一介质层的源漏窗口的限制作用使源漏区应力施加在沟道中，从而提高器件的迁移率，进而改善器件的性能。 |
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