| 专利名称 | 后栅工艺移除多晶硅假栅制程的监控方法 | 申请号 | CN201110149722.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102810491A | 公开（授权）日 | 2012.12.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 杨涛;赵超;李俊峰;闫江;陈大鹏 | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/66(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I | 专利有效期 | 后栅工艺移除多晶硅假栅制程的监控方法 至后栅工艺移除多晶硅假栅制程的监控方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种后栅工艺移除多晶硅假栅制程的监控方法，包括以下步骤：在晶圆表面形成多晶硅假栅结构以及测试结构；确定测试结构密度量测目标及误差范围；使用XRR设备测量测试结构的密度，判断多晶硅假栅是否完全移除。该技术可以有效监控多层薄膜的厚度和密度，具有快速量测，结果准确的优点，该技术在集成电路工业界的应用刚处于起步阶段，是一种很有发展潜力的晶圆工艺监控手段。依照本发明的量测方法，可以快速准确有效监控判断多晶硅假栅是否彻底移除，同时该量测方法对晶圆不会带来损伤。 |
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