| 专利名称 | 化学机械平坦化后清洗晶圆的方法 | 申请号 | CN201110149721.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102810459A | 公开（授权）日 | 2012.12.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 杨涛;赵超;李俊峰 | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I;B08B3/02(2006.01)I | 专利有效期 | 化学机械平坦化后清洗晶圆的方法 至化学机械平坦化后清洗晶圆的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种化学机械平坦化后清洗晶圆的方法，包括：将晶圆放置在晶圆夹持机构上驱动晶圆旋转机构，以带动晶圆夹持机构和晶圆共同旋转；进行第一次化学清洗，通过清洗液供应悬梁向晶圆表面供应化学清洗液，其中清洗液供应悬梁与晶圆表面间隔一定距离；进行第一次去离子水清洗，通过清洗液供应悬梁向晶圆表面供应去离子水，清洗掉化学清洗液和清洗产物；进行第二步工艺清洗，进一步巩固清洗效果；对晶圆进行干燥。依照本发明的晶圆清洗方法，由于采用非接触式的悬梁供应清洗液和去离子水清洗晶圆表面，减少或消除了接触式刷洗过程可能带来的晶圆表面划伤问题，提高晶圆器件的良率。 |
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