| 专利名称 | CuInSe2纳米材料及其制备方法与应用 | 申请号 | CN201010238826.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101927983A | 公开（授权）日 | 2010.12.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院化学研究所 | 发明（设计）人 | 万立骏;王建军;郭玉国 | 主分类号 | C01B19/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B19/00(2006.01)I | 专利有效期 | CuInSe2纳米材料及其制备方法与应用 至CuInSe2纳米材料及其制备方法与应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种CuInSe2纳米材料及其制备方法与应用。该方法，包括下述步骤：1)将含铜化合物、含硒化合物及油胺于反应装置a中混匀，将含铟化合物及油胺于反应装置b中混匀，将装置a和装置b分两步加热升温，同时用惰性气体排除装置a和装置b中的氧气和水；2)将装置b冷却至60-160℃，将装置a继续升温至130-280℃后，将装置b中的含铟化合物及油胺加入到装置a中进行反应，反应完毕用有机溶剂洗涤，得到所述CuInSe2纳米材料。本发明利用常规的反应物可制备出非常均匀的CuInSe2纳米材料，而且利用制备的CuInSe2纳米材料和P3HT制备的复合材料表现出优异的光电性能。 |
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