| 专利名称 | 一种存储器及其制造方法 | 申请号 | CN201110143077.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102810541A | 公开（授权）日 | 2012.12.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 许高博;徐秋霞 | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 一种存储器及其制造方法 至一种存储器及其制造方法 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种存储器及其制造方法。该存储器的结构包括：半导体衬底；沟道区，位于所述半导体衬底上；栅堆叠，位于所述沟道区上，所述栅堆叠包括隧穿层、电荷俘获层、阻挡层和栅电极层，所述隧穿层位于所述沟道区上，所述电荷俘获层位于所述隧穿层上，所述阻挡层位于所述电荷俘获层上，所述栅电极层位于所述阻挡层上；源/漏区，位于所述沟道区两侧且嵌入所述半导体衬底中；所述电荷俘获层包括第一电荷俘获层和第二电荷俘获层，其中，第二电荷俘获层位于第一电荷俘获层的上面和下面中的至少一处。 |
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