| 专利名称 | 单片集成锁相面发射分布反馈半导体激光器阵列 | 申请号 | CN201010179529.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101841129A | 公开（授权）日 | 2010.09.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明（设计）人 | 胡永生;秦莉;叶淑娟;张楠;宁永强 | 主分类号 | H01S5/187(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/187(2006.01)I;H01S5/065(2006.01)I;H01S5/14(2006.01)I;H01S5/22(2006.01)I | 专利有效期 | 单片集成锁相面发射分布反馈半导体激光器阵列 至单片集成锁相面发射分布反馈半导体激光器阵列 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 单片集成锁相面发射分布反馈半导体激光器阵列，涉及一种新的半导体激光器阵列锁相结构，它解决了现有外部耦合(Talbot外腔)锁相技术无法实现单片集成，装调困难；内部耦合(漏波耦合)锁相技术因出光区宽度受限而影响出光功率的问题，该结构包括周期性间隔排列的分布布拉格反射器和面发射分布反馈半导体激光器阵列条，所述每个面发射分布反馈半导体激光器阵列条与左右两端的分布布拉格反射器构成外腔反馈激光器；左端的分布布拉格反射器为外腔反馈激光器提供外腔的光反馈；右端的分布布拉格反射器提供端面反射；同时右端的分布布拉格反射器与下一个激光器阵列条构成外腔反馈激光器；本发明可应用于军事、工业、医疗和空间光通信等领域。 |
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