| 专利名称 | 基于硅量子点超晶格结构的晶硅太阳能电池的制备方法 | 申请号 | CN200910080057.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101840955A | 公开（授权）日 | 2010.09.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 贾锐;李维龙;朱晨昕;陈晨;张培文;刘明;刘新宇;叶甜春 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 基于硅量子点超晶格结构的晶硅太阳能电池的制备方法 至基于硅量子点超晶格结构的晶硅太阳能电池的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制备基于硅量子点超晶格结构的晶硅太阳能电池的方法，包括：在晶硅基板正面和背面制备绒面结构，并将晶硅基板放置于扩散炉中进行扩散，形成双面PN结；混合硅颗粒与半导体氧化物颗粒，通过电子束蒸发至晶硅基板上，形成富Si的氧化物薄膜；对晶硅基板进行高温退火处理，形成Si量子点超晶格结构；对Si量子点超晶格结构进行掺杂，形成n型或者n+型Si量子点超晶格结构；在晶硅基板正面和背面生长Si3N4减反膜；采用丝网印刷在晶硅基板的背面印刷的正电极，并进行热处理固化；然后采用丝网印刷在晶硅基板的正面印刷的负电极，并进行热处理固化；合金退火，制备出基于硅量子点超晶格结构的晶硅电池。利用本发明，提高了晶硅电池的转换效率。 |
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